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2021-2025年中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)分析及發(fā)展趨勢預測研究報告
2020-11-11
  • [報告ID] 148264
  • [關鍵詞] 氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)分析
  • [報告名稱] 2021-2025年中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)分析及發(fā)展趨勢預測研究報告
  • [交付方式] EMS特快專遞 EMAIL
  • [完成日期] 2020/11/11
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報告簡介

由于第三代半導體材料及其制作的各種器件的優(yōu)越性、實用性和戰(zhàn)略性,毫無疑問,未來以第三代半導體材料SiC和GaN制成的半導體功率器件將成為發(fā)展主流,當前許多發(fā)達國家已經(jīng)將第三代半導體材料列入國家計劃,全面部署。

2020年末,GaN射頻器件市場規(guī)模將擴大至目前的2.5倍。2019-2020年,5G網(wǎng)絡的實施將接棒推動GaN市場增長。未來10年,GaN市場將有望超過30億美元。

從研發(fā)角度來看,中國專利占據(jù)全球的23%,但產(chǎn)業(yè)化發(fā)展程度較歐美低,但我國發(fā)展的應用場景廣闊:我國是全球最大的半導體照明產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)地、全球規(guī)模最大的5G移動通信、全球增速最快的新能源汽車、智能手機和軍工領域?qū)β拾雽w需求增速,這些應用的發(fā)展都離不開第三代半導體材料和器件的支撐。

同時,國內(nèi)投資GaN熱度高漲。根據(jù)第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的統(tǒng)計,僅僅2017年一年,投產(chǎn)氮化鎵材料相關項目金額已經(jīng)超過19億元。政策扶持、應用推進、資本追捧,以GaN為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景廣闊,氮化鎵手機快充充電器只是一個開始。

國內(nèi)GaN企業(yè)匯總?cè)缦拢?/P>

GaN襯底企業(yè)

東莞市中稼半導體科技有限公司

東莞市中鎵半導體科技有限公司成立于2009年1月,總部設于廣東東莞,總注冊資本為1.3億元人民幣,總部設立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米,并在北京有大型研發(fā)中心,為中國國內(nèi)一家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。

官網(wǎng)顯示,中鎵半導體已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線,制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底,并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月,中鎵半導體實現(xiàn)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

東莞市中晶半導體科技有限公司

東莞市中晶半導體科技有限公司成立于2010年,是廣東光大企業(yè)集團在半導體領域繼中鎵半導體、中圖半導體后布局的第三個重點產(chǎn)業(yè)化項目。

中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備制造技術為支撐,以GaN襯底為基礎,重點發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術,并向新型顯示模組方向延展;同時,中晶半導體將以GaN襯底材料技術為基礎,孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術,并進行全球產(chǎn)業(yè)布局。

蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年,致力于氮化鎵單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術開發(fā)、突破了6英寸的關鍵技術,現(xiàn)在是國際上少數(shù)幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位之一。

據(jù)官網(wǎng)介紹,目前納維科技GaN單晶襯底產(chǎn)品已提供給300余家客戶使用,正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應用市場發(fā)展,重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。

鎵特半導體科技(上海)有限公司

鎵特半導體科技(上海)有限公司成立于2015年4月,主要從事大尺寸的高質(zhì)量、低成本氮化鎵襯底的生長,以推動諸多半導體企業(yè)能夠以合理價來購買并使用氮化鎵襯底。鎵特半導體已自主研發(fā)出HVPE設備,并用以生長高質(zhì)量的氮化鎵襯底。

官網(wǎng)顯示,借助自主研發(fā)的HVPE設備,鎵特半導體已成功生長出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導體表示,未來幾年內(nèi)將建成全球最大的氮化鎵襯底生長基地,以此進一步推廣氮化鎵襯底在半導體材料市場上的廣泛應用,并將依托自支撐GaN襯底進行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。

GaN外延片企業(yè)

蘇州晶湛半導體有限公司

蘇州晶湛半導體有限公司成立于2012年3月,致力于氮化鎵(GaN)外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2013年8月,晶湛半導體開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產(chǎn)線,可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬片;2014年底,晶湛半導體發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。

官網(wǎng)介紹稱,截至目前,晶湛半導體已完成B輪融資用于擴大生產(chǎn)規(guī)模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月產(chǎn)能達1萬片。晶湛半導體現(xiàn)已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。

聚能晶源(青島)半導體材料有限公司

略……

本公司出品的研究報告首先介紹了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、氮化鎵(GaN)行業(yè)整體運行態(tài)勢等,接著分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場運行的現(xiàn)狀,然后介紹了氮化鎵(GaN)行業(yè)市場競爭格局。隨后,報告對氮化鎵(GaN)行業(yè)做了重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析,最后分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預測。您若想對氮化鎵(GaN)行業(yè)產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資中國氮化鎵(GaN)行業(yè),本報告是您不可或缺的重要工具。

本研究報告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計數(shù)據(jù),海關總署,問卷調(diào)查數(shù)據(jù),商務部采集數(shù)據(jù)等氮化鎵(GaN)。其中宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局,部分行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局及市場調(diào)研數(shù)據(jù),企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計氮化鎵(GaN)及證券交易所等,價格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測氮化鎵(GaN)。


報告目錄
2021-2025年中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)分析及發(fā)展趨勢預測研究報告
第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.2 氮化鎵材料的特性
1.3 氮化鎵的制備方法
第二章 2018-2020年半導體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2018-2020年全球半導體材料發(fā)展狀況
2.2.1 市場銷售規(guī)模
2.2.2 區(qū)域分布狀況
2.2.3 細分市場結(jié)構(gòu)
2.2.4 市場競爭狀況
2.3 2018-2020年中國半導體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1 應用環(huán)節(jié)分析
2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3 市場銷售規(guī)模
2.3.4 細分市場結(jié)構(gòu)
2.3.5 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.3.6 國產(chǎn)替代進程
2.4 中國半導體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2 行業(yè)需求分析
2.5.3 行業(yè)前景分析
第三章 2018-2020年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國產(chǎn)化將加速
3.2 2018-2020年氮化鎵市場發(fā)展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4 氮化鎵市場競爭格局
3.2.5 氮化鎵應用領域分析
3.2.6 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應商
3.2.7 氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術及研發(fā)狀況
3.3.1 產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)進展
3.3.3 技術專利分析
第四章 2018-2020年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
4.1 發(fā)光二極管(LED)
4.1.1 發(fā)光二極管(LED)發(fā)展概述
4.1.2 發(fā)光二極管(LED)市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3 發(fā)光二極管(LED)進出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
4.2 場效應晶體管(FET)
4.2.1 場效應晶體管(FET)發(fā)展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應用情況
4.3 激光二極管(LD)
4.3.1 激光二極管(LD)發(fā)展概述
4.3.2 激光二極管(LD)背景技術
4.3.3 激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5 GaN基激光器應用狀況分析
4.3.6 GaN基激光器技術發(fā)展情況
4.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4 二極管(Diodes)
4.4.1 二極管(Diodes)發(fā)展概述
4.4.2 二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術發(fā)展狀況
4.5 射頻器件(RF)
4.5.1 射頻器件(RF)發(fā)展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場發(fā)展狀況
4.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6 太陽能電池(Solar Cells)
4.6.1 2018-2020年中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第五章 2018-2020年氮化鎵應用領域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應用
5.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
5.1.2 GaN應用在電力電子領域的優(yōu)勢
5.1.3 GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6 電力電子器件市場未來發(fā)展方向
5.1.7 “十三五”中國電力電子發(fā)展重點
5.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應用
5.2.1 新能源行業(yè)相關政策支持
5.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
5.2.3 新能源發(fā)電建設和運行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應用
5.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2 智能電力設備發(fā)展分析
5.3.3 智能電力設備關鍵技術
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設備產(chǎn)業(yè)的應用
5.4.1 通訊設備市場需求分析
5.4.2 通訊設備制造業(yè)運行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領域應用分析
5.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應用
5.5.2 GaN在無線基站領域應用
5.5.3 GaN在紫外探測領域的應用
5.5.4 GaN在紅外探測領域的應用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應用
5.5.6 GaN在生物化學探測領域的應用
第六章 2018-2020年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
6.1 MACOM
6.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.1.3 企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.2.3 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
6.3 雷神科技
6.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.3.3 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
6.4 恩智浦
6.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.4.3 企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
6.4.4 項目建設動態(tài)
6.5 英飛凌
6.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.5.3 企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
第七章 2018-2020年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)主營業(yè)務
7.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
7.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3 企業(yè)項目進展
7.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)人才隊伍
7.3.3 企業(yè)獲得榮譽
7.3.4 公司專利技術
7.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 經(jīng)營效益分析
7.4.3 業(yè)務經(jīng)營分析
7.4.4 財務狀況分析
7.4.5 核心競爭力分析
7.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7 未來前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 經(jīng)營效益分析
7.5.3 業(yè)務經(jīng)營分析
7.5.4 財務狀況分析
7.5.5 核心競爭力分析
7.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7 未來前景展望
7.6 四川海特高新技術股份有限公司
7.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2 經(jīng)營效益分析
7.6.3 業(yè)務經(jīng)營分析
7.6.4 財務狀況分析
7.6.5 核心競爭力分析
7.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7 未來前景展望
第八章 2021-2025年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預測
8.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
8.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機會
8.1.2 企業(yè)并購案例
8.1.3 企業(yè)并購金額
8.1.4 投資擴產(chǎn)狀況
8.1.5 區(qū)域投資分布
8.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.2 市場應用潛力
8.2.3 市場發(fā)展機遇
8.3  2021-2025年中國氮化鎵市場預測分析
8.3.1 2021-2025年中國氮化鎵市場影響因素分析
8.3.2 2021-2025年中國基站端GaN放大器市場規(guī)模預測
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