藍(lán)光單管芯片是藍(lán)光激光器的核心組成部分，近年來(lái)，隨著藍(lán)光激光器應(yīng)用擴(kuò)展，藍(lán)光單管芯片市場(chǎng)需求逐漸釋放。藍(lán)光單管芯片是基于氮化鎵GaN、氮化鋁鎵AlGaN、氮化銦鎵InGaN或其它與其相關(guān)的材料，經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)、流片工藝、腔面處理、封裝等工藝形成的藍(lán)光單管產(chǎn)品。
　　氮化鎵GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、抗強(qiáng)輻射能力、高擊穿電場(chǎng)等性能，可用于制備大功率、高溫、高頻電子器件。藍(lán)光單管芯片難以實(shí)現(xiàn)高輸出功率和長(zhǎng)壽命，核心生產(chǎn)技術(shù)壁壘高，受材料、技術(shù)限制，目前藍(lán)光單管芯片功率較低，商用產(chǎn)品功率水平在5W左右，實(shí)驗(yàn)室功率水平在10W左右。全球范圍內(nèi)，擁有藍(lán)光單管芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)較少，主要集中在德國(guó)、日本、美國(guó)等地區(qū)。
　　全球范圍內(nèi)，藍(lán)光單管芯片相關(guān)企業(yè)或研發(fā)機(jī)構(gòu)有德國(guó)艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）、日亞化學(xué)（Nichia）、松下、索尼等�？傮w來(lái)看，國(guó)外企業(yè)在全球藍(lán)光單管芯片領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì)，我國(guó)在這一領(lǐng)域處于落后并依賴國(guó)外進(jìn)口的狀態(tài)。
　　藍(lán)光激光器是一種新型激光器，在激光器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇背景下，藍(lán)光激光器成為激光器企業(yè)差異化布局重點(diǎn)方向。在國(guó)產(chǎn)替代大背景下，國(guó)內(nèi)企業(yè)和機(jī)構(gòu)也在加快藍(lán)光激光器相及關(guān)器件研發(fā)速度，如華中科技大學(xué)、蘇州納米所、廣東硬科院、深圳聯(lián)贏激光、北京凱普林、銳科激光等。
　　藍(lán)光激光器在銅、鋁等高反金屬材料加工等方面具有明顯優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)，隨著技術(shù)發(fā)展，藍(lán)光激光器在新能源電池、消費(fèi)電子、醫(yī)療、顯示、航天航空、國(guó)防、存儲(chǔ)、探測(cè)、高端裝備制造等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力日益凸顯。在此背景下，藍(lán)光單管芯片、藍(lán)光激光二極管等藍(lán)光激光器相關(guān)器件也受到市場(chǎng)廣泛關(guān)注。
藍(lán)光單管芯片是藍(lán)光激光器最核心器件，隨著藍(lán)光激光器應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，藍(lán)光單管芯片市場(chǎng)需求將進(jìn)一步釋放。目前藍(lán)光單管芯片功率較低，在激光產(chǎn)業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展背景下，市場(chǎng)對(duì)藍(lán)光單管芯片的要求不斷提升，將促使其向更高功率、更好光束質(zhì)量方向不斷發(fā)展。