氮化鎵（GaN）基藍(lán)光激光器是指基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵基材料體系的藍(lán)光激光器。藍(lán)光激光器是指波長位于400nm-500nm區(qū)間且光源呈藍(lán)色的激光器。
　　氮化鎵基藍(lán)光激光器典型外延結(jié)構(gòu)由p型電極、歐姆接觸區(qū)、上限制層、電子阻擋層、上波導(dǎo)層、多量子阱層、下波導(dǎo)層、下限制層、襯底及緩沖層、n型電極組成。外延生長是氮化鎵基藍(lán)光激光器制備基礎(chǔ)，外延生長方法包括分子束外延（MBE）、金屬有機物化學(xué)氣相外延（MOCVD）兩種。
　　氮化鎵基材料為第三代半導(dǎo)體材料，涵蓋氮化銦（InN）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）及其合金，光譜覆蓋近紅外、可見光、深紫外。氮化鎵是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)3.4eV。氮化鎵晶體生長方法分為HVPE法、氨熱法、助熔劑法等，全球氮化鎵單晶襯底生產(chǎn)企業(yè)有日本三菱化學(xué)、日本信越化學(xué)、美國Kyma公司、日本住友、納維科技等。
　　氮化鎵基藍(lán)光激光器是一種新型氮化鎵基激光器，具有驅(qū)動能耗低、體積小、性能穩(wěn)定、單色性好等特點，在通信、激光顯示、高密度數(shù)據(jù)存儲、生物醫(yī)療、材料加工、照明、量子技術(shù)等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用空間。
　　20世紀(jì)末以來，隨著技術(shù)發(fā)展，氮化鎵基激光器逐漸由紅光、紫光發(fā)展到藍(lán)光和綠光波段。在國際市場上，氮化鎵基藍(lán)光激光器研發(fā)單位包括日本日亞公司、德國歐司朗公司、日本島津、德國Laserline GmbH公司等。
　　我國氮化鎵基藍(lán)光激光器相關(guān)研制單位包括清華大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國科學(xué)院蘇州納米所、長春新產(chǎn)業(yè)光電技術(shù)、先導(dǎo)科技集團(tuán)、三安光電、廈門大學(xué)等。
　　近年來，我國在氮化鎵基藍(lán)光激光器領(lǐng)域取得了多項突破，如清華大學(xué)與安徽格恩半導(dǎo)體合作成功研制出輸出功率超15W的氮化鎵基藍(lán)光激光器，三安光電與廈門大學(xué)合作聯(lián)合研發(fā)的超8瓦大功率InGaN（氮化銦鎵）藍(lán)光激光器達(dá)到了國際先進(jìn)水平，先導(dǎo)科技集團(tuán)的“氮化鎵藍(lán)光裝備的全鏈條國產(chǎn)化開發(fā)及應(yīng)用”項目于2024年成功立項。
　　氮化鎵藍(lán)光激光器具有廣泛應(yīng)用前景，隨著相關(guān)技術(shù)突破，全球氮化鎵基藍(lán)光激光器市場規(guī)模將持續(xù)擴大，預(yù)計2024年將達(dá)到1.4億美元，2024-2029年市場將以8.0%以上的年均復(fù)合增長率增長。我國氮化鎵基藍(lán)光激光器關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)取得產(chǎn)業(yè)化突破，在預(yù)期內(nèi)，我國市場增速將高于全球平均水平。