硅基氮化鎵（GaN-on-Si），指在硅襯底上生長氮化鎵薄膜而制成的化合物半導(dǎo)體材料。硅基氮化鎵具備擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、帶隙寬等優(yōu)勢，在通信系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域擁有潛在應(yīng)用價(jià)值。
   近年來，隨著本土企業(yè)及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)持續(xù)發(fā)力，我國硅基氮化鎵相關(guān)專利數(shù)量不斷增加，主要包括《一種硅基氮化鎵功率器件》、《一種硅基氮化鎵外延結(jié)構(gòu)》、《硅基氮化鎵外延層的生長方法及氮化鎵外延片》、《一種硅基氮化鎵微波器件及制備方法》、《一種硅基氮化鎵單片集成電路》、《硅基氮化鎵外延結(jié)構(gòu)及其制備方法》等。未來伴隨研究深入，我國硅基氮化鎵行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。
   硅基氮化鎵在通信系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域擁有潛在應(yīng)用價(jià)值。在通信系統(tǒng)領(lǐng)域，硅基氮化鎵可用于移動設(shè)備射頻前端以及5G基站功率放大器中，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定通信連接以及快速數(shù)據(jù)傳輸；在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，其作為半導(dǎo)體材料，可用于制造集成電路，產(chǎn)品具備熱管理能力強(qiáng)、工藝能量密度高等優(yōu)勢；在電力系統(tǒng)領(lǐng)域，其可用于制造電源功率器件以及電源轉(zhuǎn)換模組。
    硅基氮化鎵外延片為硅基氮化鎵下游產(chǎn)品，具備集成度高、禁帶寬度大、耐高溫、熱導(dǎo)率高等優(yōu)良特性，可用于制造微波器件、功率器件以及高頻器件等。近年來，我國企業(yè)及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)不斷加大對于硅基氮化鎵外延片的研發(fā)投入力度，目前已取得眾多新進(jìn)展。未來隨著硅基氮化鎵外延片行業(yè)發(fā)展速度加快，硅基氮化鎵應(yīng)用需求將進(jìn)一步增長。
   全球硅基氮化鎵市場主要參與者包括法國Soitec、法國Exagan、意法半導(dǎo)體、德國英飛凌等。在本土方面，我國硅基氮化鎵行業(yè)集中度較高，代表企業(yè)包括大連芯冠、捷芯威、聚力成、士蘭微、華潤微以及英諾賽科等，英諾賽科為全球首家具備8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)實(shí)力的企業(yè)。 
硅基氮化鎵性能優(yōu)異，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域擁有潛在應(yīng)用價(jià)值。未來伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向我國大陸轉(zhuǎn)移，硅基氮化鎵市場空間將得到進(jìn)一步擴(kuò)展。目前，我國已有多家布局硅基氮化鎵行業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)賽道，英諾賽科作為代表企業(yè)，占據(jù)市場較大份額。