大尺寸超高純立方碳化硅，是半導(dǎo)體材料，是一種直徑、純度達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)的立方相碳化硅材料。
　　立方碳化硅（β-SiC/3C-SiC），立方晶系，晶體結(jié)構(gòu)及性能與金剛石相似，具有硬度高、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐高溫、耐輻射、熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低、能帶間隙寬、電子遷移率高、電子漂移速度快、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)電性好等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用在特種材料、精密加工、電子信息、軍工國防、航空航天等領(lǐng)域。現(xiàn)階段，我國立方碳化硅研制能力已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，代表性企業(yè)主要是西安博爾新材料有限責(zé)任公司。
　　利用立方碳化硅作為半導(dǎo)體材料來制備晶體管等半導(dǎo)體器件，與常見的4H碳化硅器件相比，可靠性大幅提高。立方碳化硅晶體管制備需要采用大尺寸超高純立方碳化硅作為襯底。與微粉高純度立方碳化硅相比，大尺寸超高純立方碳化硅在生長過程中易發(fā)生相變，難以獲得單一晶型晶體，制備難度大。
　　大尺寸超高純立方碳化硅制造的半導(dǎo)體器件，可以應(yīng)用在電子、通信、光伏、新能源汽車、航天、軍工等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)中，其導(dǎo)電性、耐高溫性、導(dǎo)熱性、抗熱震性等性能明顯優(yōu)于其他材料，因此開發(fā)與應(yīng)用必要性突出。
　　2024年8月，我國工信部關(guān)于發(fā)布國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高性能制造技術(shù)與重大裝備”等16個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度項(xiàng)目申報(bào)指南的通知中，在高端功能與智能材料-特種及前沿功能材料方面，提出面向先進(jìn)半導(dǎo)體制程對(duì)超高純、耐腐蝕、耐高溫SiC零部件的迫切需求，研發(fā)大尺寸超高純超厚SiC材料的CVD快速穩(wěn)定制備技術(shù)。
　　我國工信部國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃中對(duì)大尺寸超高純立方碳化硅的指標(biāo)要求是，SiC材料晶體結(jié)構(gòu)為立方相，純度≥99.9999%，密度3.20-3.21g/cm3，直徑≥450mm，厚度≥20mm，硬度2900-3300kg/mm2。
   我國大尺寸超高純立方碳化硅研發(fā)技術(shù)瓶頸正在逐步突破。2024年1月，中國科學(xué)院物理研究所團(tuán)隊(duì)利用高溫液相法，實(shí)現(xiàn)了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶。2024年11月，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司公開一項(xiàng)名為“一種快速生長大尺寸高質(zhì)量立方碳化硅單晶的裝置及方法”的專利。