中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷全棧技術(shù)攻堅(jiān)與產(chǎn)能擴(kuò)張雙輪驅(qū)動(dòng)階段。3D NAND層數(shù)突破（200+層）、DRAM制程躍進(jìn)（17nm量產(chǎn)）、HBM封裝（2.5D/3D集成）構(gòu)成技術(shù)升級(jí)主線，設(shè)備材料國(guó)產(chǎn)化率從不足10%提升至25%。市場(chǎng)需求端，智能汽車(chē)（車(chē)載存儲(chǔ)年復(fù)合增速35%）、AI算力（HBM需求2025年達(dá)150億美元）、信創(chuàng)替代（金融/政務(wù)SSD招標(biāo)國(guó)產(chǎn)化率超70%）形成增長(zhǎng)三角。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)凸顯，從前驅(qū)體材料（高k介質(zhì)）、刻蝕設(shè)備（5nm精度）到封測(cè)（TSV/HBM）實(shí)現(xiàn)垂直打通。挑戰(zhàn)集中于知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘（DDR5專(zhuān)利交叉授權(quán)）、設(shè)備禁運(yùn)（EUV光刻機(jī)限制）及周期波動(dòng)（NAND價(jià)格年降15%）。政策層面，大基金三期2500億元注資重點(diǎn)支持存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片自給率40%以上。