3D NAND，又稱(chēng)三維NAND，指通過(guò)垂直堆疊存儲(chǔ)單元來(lái)增加存儲(chǔ)密度的的閃存類(lèi)型。與傳統(tǒng)2D NAND相比，3D NAND具有耐用性好、讀寫(xiě)速度快、功耗低、存儲(chǔ)容量大等優(yōu)勢(shì)，適用范圍極廣。
   3D NAND在物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、汽車(chē)制造、航空航天、國(guó)防軍工等眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，3D NAND可應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦的存儲(chǔ)單元；在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，其可用于構(gòu)建企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)，具備高可靠性以及高效能等優(yōu)勢(shì)；在國(guó)防軍工領(lǐng)域，其可在極端惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，可用于軍用無(wú)人機(jī)以及軍用衛(wèi)星通信系統(tǒng)。
    2D NAND，又稱(chēng)平面NAND，為傳統(tǒng)NAND FLASH閃存技術(shù)，其單位面積存儲(chǔ)容量難以繼續(xù)提高，目前行業(yè)發(fā)展受限。伴隨應(yīng)用需求增長(zhǎng)，3D NAND逐漸代替2D NAND，成為閃存主流技術(shù)。2023年全球3D NAND市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)500億美元，同比增長(zhǎng)近20%。未來(lái)隨著技術(shù)進(jìn)步，3D NAND行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快，預(yù)計(jì)到2028年將占據(jù)閃存市場(chǎng)近99%的份額。
   全球3D NAND市場(chǎng)主要參與者包括韓國(guó)三星集團(tuán)（Samsung）、韓國(guó)海力士株式會(huì)社（SK hynix）、日本東芝株式會(huì)社（TOSHIBA）、美國(guó)西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital）、美國(guó)英特爾公司（Intel）、美國(guó)美光科技股份有限公司（Micron Technology）等。三星集團(tuán)為全球較早推出3D NAND產(chǎn)品的企業(yè)之一，目前公司正在積極推進(jìn)高疊層數(shù)3D NAND閃存芯片的研發(fā)工作，已具備236層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)能力。
   在本土方面，與海外發(fā)達(dá)國(guó)家相比，我國(guó)3D NAND行業(yè)起步較晚，于2016年才實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品批量化生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)、東芯股份等為我國(guó)3D NAND市場(chǎng)主要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)注于3D NAND閃存技術(shù)的設(shè)計(jì)及研發(fā)，目前已具備32層3D NAND芯片、128層QLC 3D NAND閃存芯片以及232層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)能力。長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking 3.0技術(shù)推出的3D NAND閃存芯片X3-9070，在產(chǎn)品性能及技術(shù)水平上已達(dá)到全球領(lǐng)先。
   3D NAND作為一種高性能閃存技術(shù)，在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。未來(lái)伴隨技術(shù)進(jìn)步以及應(yīng)用需求日益旺盛，3D NAND市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，與海外發(fā)達(dá)國(guó)家相比，我國(guó)3D NAND行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢(shì)頭迅猛，本土企業(yè)已具備高性能產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)力。